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1.引言

近來(lái)在玻璃基板上制造組件, 如柔性顯示設(shè)備和超薄芯片, 在基板的背面通過(guò)雷射照射之激光剝離制程Laser Lift-Off process (LLO)引起業(yè)界關(guān)注。

基板透過(guò)適合的雷射波長(zhǎng)、于組件之界面處作業(yè)形成以雷射燒蝕（蒸散）加工出來(lái)的高分子膜形成比較容易的將其剝離、并且作為多様薄膜器件的制程, 其應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大。

作為雷射剝離制程,在較早期應(yīng)用在LED制程中, 將小的均勻光束照射到晶粒尺寸為幾毫米的GaN材料上即可達(dá)成。然而,于FPD應(yīng)用上、和大尺吋芯片(～12英寸), 則必須均勻的大面積處理, 并且使用線光班(Line Beam)才能使剝離制程有效作業(yè)。

本文提到了LLO制程的原理, 制程所需的條件, LLO制程后的材料評(píng)估, 得以實(shí)際生產(chǎn)設(shè)備性能實(shí)現(xiàn)。

圖1玻璃基板上雷射剝離制程

2.為何要使用LLO雷射剝離制程

 (1) 對(duì)于玻璃基板的附著力(以柔性顯示器為例)

用于智能電話的高清小型顯示器的像素尺寸為幾十微米, 并于柔性顯示器上的高分子膜(PI), 相對(duì)要求對(duì)次微米級(jí)的TFT電路圖案的對(duì)準(zhǔn)精度。因此, 必須通過(guò)將具有優(yōu)異機(jī)械/電性性能材料涂布于基材, 然后進(jìn)行燒結(jié)(重合), 從而牢固地固定在玻璃基板上。有機(jī)EL層組件完成后, 需要從玻璃基板上不被破壞組件情況下剝離, 但是如上所述, 高分子膜和玻璃基板之間的粘附力非常強(qiáng), 并且難以通過(guò)機(jī)械或化學(xué)方法剝離, 因此只能透過(guò)雷射剝離將其無(wú)損壞的分離。

(2) 另一方面, 剝離作業(yè)是雷射燒蝕制程, 一方高分子膜(PI)材料是印刷基板穿孔加工, 噴墨打印機(jī)噴墨孔加工處理為代表, 紫外光脈沖雷射可以進(jìn)行燒蝕ablation(蒸散)加工處理。

玻璃和PI膜界面則通過(guò)以激光束照射表面, 發(fā)現(xiàn)可以比上述鉆孔加工低一位數(shù)的燒蝕門坎值能量密度進(jìn)行剝離, 并引入了該方法。

圖2 Laser operation process

3.LLO制程的特征

 (1)UV Pulse Laser作業(yè)制程

此雷射對(duì)PI膜的穿透深度較淺、Pulse時(shí)間寬度較短, 因此對(duì)器件幾乎無(wú)產(chǎn)生熱效應(yīng)影響(低溫制程)。

(2)從基板背面方向開(kāi)始照射

制程不會(huì)受組件損壞限制、剝離反應(yīng)的型成可以在制程過(guò)程結(jié)束時(shí)完成。

(3)1 shut / 能量密度門坎必須高達(dá)到PI界面分離的能量通量。

4.LLO制程的必要條件

LLO制程用雷射所需特性描述。

(1)大面積制程需高能量/高輸出脈沖雷射

例G6H尺吋(925mm×1500mm)可處理最大尺吋750mm或950mm長(zhǎng)度, 能量密度線光斑需達(dá) 數(shù)百mJ/cm2。以對(duì)應(yīng)顯示器制程線光斑長(zhǎng)度之需求能量。

(2) PI層使用紫外線波長(zhǎng)用于淺穿透度

取決于PI特性(可視區(qū)域), 透明PI上限為 355nm (Nd:YAG雷射的3倍波)。

(3) 可通過(guò)玻璃基板波長(zhǎng)

無(wú)堿玻璃的可穿透范圍 (308nm XeCl準(zhǔn)分子雷射波長(zhǎng))以上的波長(zhǎng)。

圖3 PI吸收率(1)

圖4 一般無(wú)堿玻璃的穿透率

5.LLO制程的照射光束

雷射振蕩器的輸出光束形狀取決于放電強(qiáng)度分布/YAG結(jié)晶激發(fā)介質(zhì)/共振器的構(gòu)造, 通常以不均勻的光束形狀照射PI界面, 整個(gè)照射區(qū)域都會(huì)產(chǎn)生較大的能量密度變化、在能量密度高的區(qū)域進(jìn)行了強(qiáng)力處理反應(yīng), 而在能量密度低的區(qū)域中, 則存留未完全剝離現(xiàn)象。

圖5 典型的YAG激光束形狀圖

圖6 典型的準(zhǔn)分子激光束形狀

因此, 使用分散均質(zhì)器光學(xué)系統(tǒng)剝離(ablation)制程門坎, 需要以更高能量密度照射。

圖7 分散型均質(zhì)器和均勻線光斑之形狀原理

63.PI 材料的條件

作為雷射燒蝕制程的條件、由于脈沖雷射的光吸收, 材料需要迅速升高至汽化溫度。因此在幾十納秒的輻照時(shí)間范圍內(nèi), 材料的光穿透深度必須淺(數(shù)百nm～)、且在幾時(shí)納秒的雷射輻照時(shí)間范圍內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)低 (難以冷卻)必要條件。如果組件底部材料條件不足此要求, 則可以使用吸收雷射光的犧牲膜, 例如a-Si 膜。

7.線光班LLO 制程結(jié)果

在無(wú)堿玻璃上涂布三井化學(xué)的透明PI VICT-C, 用波長(zhǎng)308nm 的均勻光束照射實(shí)驗(yàn)結(jié)果130mJ/cm2 以上的能量密度剝離結(jié)果如下。

表1 能量密度的剝離結(jié)果

照射區(qū)域的照片是玻璃表面上的PI 膜觀察。120mJ/cm2 由牛頓環(huán)觀察到的部份區(qū)域已開(kāi)始剝離、150mJ/cm2 大部份已剝離。您還可以看到由于燒蝕對(duì)流產(chǎn)生部份碎片 (付著物)。這種對(duì)流是由1Shut 激光脈沖產(chǎn)生的、 剝離后PI 膜會(huì)有一定程程度的膨脹厚度的可能性。而這種沖擊可能會(huì)損壞組件, 照射能量門坎應(yīng)設(shè)置到非常接近剝離的值。照射光束的均勻度在±5%以內(nèi)、區(qū)域間剝離能量密度的差異, 被認(rèn)為是由于玻璃和PI之間界面粘合度變化所致。

LLO剝離制程于透明PI膜、其機(jī)械性或熱物性性質(zhì)幾乎沒(méi)有變化。

關(guān)于光學(xué)物性當(dāng)能量密度增加和重迭增加時(shí), 色相會(huì)變差。

圖8 LLO剝離后透明PI的機(jī)械物性變化(拉申試驗(yàn))

圖9 LLO 剝離后透明PI 的熱效應(yīng)物性變化 (Tg; 玻璃轉(zhuǎn)移溫度、Td1; 1%重量減少溫度、 CTE; 線膨張系數(shù)(100-200℃))

圖10 LLO剝離后透明PI的光學(xué)物性變化

8.LLO制程的Throughput

現(xiàn)在制造的固態(tài)UV Pulse雷射設(shè)備應(yīng)用于LLO制程系統(tǒng), 包含RD機(jī)型及可供應(yīng)量產(chǎn)系統(tǒng)需求, 如圖11所示。

表2 LLO 系統(tǒng)

用線光斑照射在玻璃基板和PI 的界面層時(shí), 以略高于制程門坎值的能量密度進(jìn)行照射, 必須以2-10 shuts 重迭進(jìn)行掃描 (移動(dòng)玻璃基板) 以達(dá)成被照射的表面完全剝離。

圖 11 Line Beam 線光班的掃描與重迭

9.LLO的外圍制程

LLO處理后, 需要將在玻璃基板上的顯示組件進(jìn)行切割為單一顯示組件。該制程使用高重復(fù)短脈沖時(shí)間寬度的固態(tài)UV雷射。通過(guò)工作臺(tái)或掃描臺(tái), 可以達(dá)到高速(～1m/s) 切割PI膜 + PET膜(完全切割)。

圖12 LLO 制程后, 使用皮秒雷射做高速PI 膜切割, 敝司制造復(fù)合型生產(chǎn)裝置

還可以用對(duì)PET 具有強(qiáng)吸收光譜的9.3μ m CO2 雷射選擇性的切割(Half Cut)、可以剝開(kāi)特定區(qū)域。圖12 顯示敝司于此制程的多功能裝置之構(gòu)成。另外, 在LLO 制程前/后必須層壓保護(hù)和柔性基板, 并且如何處理剝離的組件是一個(gè)問(wèn)題, 使用這些雷射工程技術(shù)具有高靈活性的, 切割粘貼剝離, 工程似乎將變得越驅(qū)重要。

10.總結(jié)與挑戰(zhàn)

使用紫外光雷射, 通過(guò)線束光斑于玻離基板的背面剝離有機(jī)膜。

130mJ/cm2程度比較的低門坎値值50%的低重迭率, 可以預(yù)期極高的生產(chǎn)率。

盡管此制程是一種燒蝕過(guò)程, 但與空氣或真空中的已知過(guò)程不同, 它是PI膜粘在玻璃上的特殊條件, 因此里面剝離門坎值的變化取決于所提供的材料 (110～150mJ/cm2)。

另一方面, 當(dāng)照射能量密度增加時(shí), 反應(yīng)于該增加而產(chǎn)生碎屑(附著物), 因此需要以盡可能接近門坎值的能量密度進(jìn)行照射, 此外通過(guò)可能接近門坎值, 可預(yù)期消減對(duì)組件的沖沖影響也將減小。

隨著界面條件的變化, 門坎值也會(huì)發(fā)生變化, 為將來(lái)改善該門坎值的變化, 我們將與有機(jī)薄膜材料制造商和各行各業(yè)合作, 以獲得玻璃基板材/洗凈/涂層必要條件。